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金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技德累斯顿公司取得一项名为“功率半导体器件和方法”的专利，授权公告号CN 112086512 B，申请日期为2020年6月。 特别声明：以上内容(如有图片或视频...
金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，北京清芯微储能科技有限公司申请一项名为“一种 MOS 功率半导体器件”的专利，公开号 CN 118888593 A ，申请日期为 2024 年 7 月。 专利摘要显示，...
金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳伟创软件有限公司申请一项名为“功率半导体器件及变频器系统的热建模方法”的专利，公开号 CN 118838189 A，申请日期为 2024 年 6 月。 专利摘要显示...
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）日前，英飞凌宣布推出全球最薄硅功率晶圆，成为首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司。晶圆直径为300mm，厚度20μm仅为头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。 ...
金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，安建科技（深圳）有限公司取得一项名为“一种逆导型功率半导体器件及其制造方法”的专利，授权公告号 CN 118630012 B，申请日期为2024年8月。 特别声明：以上内容(如有...
金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，苏州泰晶微半导体有限公司取得一项名为“碳化硅功率MOSFET器件”的专利，授权公告号CN 114784086 B，申请日期为2022年3月。 特别声明：以上内容(如有图片或视频亦...
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