国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“碳化硅功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN121218646A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本申请涉及一种碳化硅功率器件及其制备方法，包括：衬底、源极金属、屏蔽区；衬底内包括沿第一方向依次排列的基底、缓冲层、外延层；外延层内包括经由外延层的第一表面向外延层内延伸的阱区，以及沿背离第一方向贯穿阱区，且沿第二方向间隔交替排列的条状MPS结构及条状栅极；源极金属沿背离第一方向延伸至阱区内，并与条状MPS结构相接触；屏蔽区的顶面位于条状栅极的底面以内；条状MPS结构包括沿第三方向间隔排列的掺杂柱；掺杂柱与正下方的外延层、缓冲层用于构成PiN结构；相邻掺杂柱之间的外延层，与正上方的源极金属接触，构成肖特基结构。不仅具备Ron低、Vf低，且抗浪涌能力强，且制造成本较低。

　　天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目47次，财产线条，此外企业还拥有行政许可99个。

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