电子发烧友网IGBT/功率器件栏目提供igbt器件，功率器件，功率半导体器件，功率开关器件，igbt功率模块，igbt功率管，大功率igbt驱动，大功率igbt等IGBT/功率器件设计所需的所有最新行业新闻、产品信息及技术热点方案及介绍。

　　MOSFET规格书中单脉冲雪崩能量EAS如何理解？电路设计咋用它计算MOS会损坏吗？

　　单脉冲雪崩能量简称是EAS，这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数，我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力，进而来评估器件在异常瞬态过压情...

　　博世半导体在中国的策略是怎样的？在8英寸碳化硅的布局和量产节奏如何？在此次展会上，博世半导体在碳化硅领域带来的旗舰产品有哪些优势？和本土供应商对比，博世半导体最大的优势是...

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　　在PCIM Asia展上，英飞凌展示了广泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率电子产品组合，其中多款应用于可再生能源、电动交通、智能家居的产品和解决方案首次亮相。电子发烧友记者...

　　8月28日到30日，罗姆半导体亮相于深圳举办的 “2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia），在本次展会上，罗姆首次展出其今年最新发布的适用于车载引逆变器的新型...

　　8月27日，在Elexcon2024深圳国际电子展上，威兆半导体正式发布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，这款产品采用了紧凑高效的SOT-227封装，专为追求能效与高可靠性的功率转换系统而...

　　栅极参数设计是通过理论计算或建模仿真，模拟器件的开关状态，掌握其动态特性。常用的仿真软件有ANSYS和MATLAB等，其核心还是理论计算。...

　　统讲法一般分三步，以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例)，如示意图A。1.发射区向基区注入电子;2.电子在基区的扩散与复合;3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”(注1)...

　　用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT，用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的导通性，显示导通，压降为0.379 V。...

　　当MOS管驱动能力不足时，我们会使用推挽电路来放大电流，但是MOS管明明是压控型器件，为什么要去考虑电流大小呢？...

　　像GaN、SiC,、第三代半导体、车用功率器件等功率器件是处理高电压、大电流的半导体分立器件，常用在电子电力系统中进行变压、变频、变流及功率管理等。...

　　这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了 通路，所以叫做穿通（punch through）。...

　　MOSFET作为开关元件，在开关电源中需要频繁地切换两种状态：导通和截止，以控制电流的通断。这种切换过程对于电源的稳定输出至关重要。...

　　DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。...

　　三极管是晶体管的一种，三极管的三个极分别是基极（Base）、发射极（Emitter）、集电极（Collector）。...

　　LT1083稳压器（参见图1中的符号和引脚排列）允许调整正电压，并能高效地提供高达7.5 A的电流。内部电路设计用于输入和输出之间以高达1 V的压差工作。...

　　由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异，导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS，所以设计中尽量优先选择NMOS。...

　　.通电导通性检查 用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT，用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的导通性，显示导通，压降为0.379 V。...

　　运放的恒流电路，主要是利用运放的“电压跟随特性”，即运放的两个输入引脚Pin3与Pin2电压相等电路特性；当在电阻R4输入Vin稳定电源电压时，电阻R7两端的电压也为Vin不变，因此无论外界电路...

　　为了保护接口，抵抗小能量电压脉冲，防止信号脉冲损坏接口的。 举个简单的例子： 一个串口通讯的提示信号，当接上串口时，因为瞬间的插拔产生了一个很窄的电压脉冲...

　　必须在基极和发射极之间施加电流，以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET，当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。...

　　石英晶体振荡器中使用的石英晶体是一块非常小的、薄的石英切割片或晶片，其两个平行表面被金属化以进行所需的电连接。一块石英晶体的物理尺寸和厚度受到严格控制，因为它会影响振荡的...

　　二极管是一种允许电流流经一个方向但不允许另一方向流过的器件，因此，它可以用于电路中，仅允许电流仅在正向流动，而在反向流动中阻止电流。当电路中的组件可能会因反向（错误）方向...

　　当 3.3V 器件输出高电平信号，由于上拉 5V 作用，信号输入器件被上拉为 5V 电平。 当 3.3V 器件输出低电平信号，使 OUTPUT 信号被拉低，从而信号输入器件信号被拉低。...

　　MOS管的话题虽说是老生常谈，但这份资料几年前就有人给我分享过，这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解，从管脚的识别，到极性的分辨，再到常用功能，应用电路等等...

　　电子元器件的认识和判断好坏是电工必备的技能。以下是一些常见电子元器件的认识和判断好坏的方法...

　　在电阻元件的交流电路中，电流和电压是同相的。 在电阻元件电路中，电压的幅值（或有效值）与电流的幅值（或有效值）之比值，就是电阻R。...

　　温度相同区间不同的B值，说明材料可能不一样，因为NTC热敏电阻是负温度系数温度升高阻值成规律下降，B值代表曲线的弯曲程度或者说温度的敏感指数，单位温度变化的这时阻力值设施程度就...

　　在电控模块中，IGBT模块是逆变器的最核心部件，总结其工作原理：通过非通即断的半导体特性，不考虑过渡过程和寄生效应，我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。...

　　A(s)为电源系统的开环增益，为方便讨论我们假定A(s)里已经包含了输出电容、负载等其他因素的影响。...

　　量子光源芯片作为量子互联网的“心脏”，在量子通信中扮演着至关重要的角色。而电子科技大学团队此次研发的氮化镓量子光源芯片，在性能上取得了显著的突破。...