金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，上海瀚薪芯座科技发展有限责任公司取得一项名为“一种高功率密度的分立器件封装结构”的专利，授权公告号 CN 222146199 U，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，具体来说是一种高功率密度的分立器件封装结构，包括独立的第一框架部、第二框架部、塑封外壳和芯片。第一框架部包括主体部、连接部和第一引脚部，第一引脚部包括一直立部和两突出部。第二框架部包括第二引脚部和第三引脚部，第二引脚部包括埋入部与露出部，第三引脚部位于第二框架部上，包括埋入部和露出部。本实用新型同现有技术相比，其优点在于：主体部的尺寸较大，厚度较薄，且散热面朝上，散热效率高。第一引脚部、第二引脚部的尺寸都较大，降低了引脚处的寄生电阻，在过大电流时，第一引脚部和第二引脚部的产生的焦耳热减小，避免出现热集中的现象，从而满足分立器件应用在高功率密度的工况下。

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