金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司取得一项名为“集成功率器件及HEMT晶体管”的专利，授权公告号CN 222146239 U，申请日期为2024年3月。

　　专利摘要显示，公开了集成功率器件及HEMT晶体管。集成功率器件包括：具有沟道层和阻挡层的异质结构、源极接触、漏极接触、和被布置在阻挡层上、源极接触和漏极接触之间的栅极区域。绝缘场结构被布置在阻挡层上、栅极区域和漏极接触之间。场板在绝缘场结构上方延伸。绝缘场结构包括在阻挡层上的由第一电介质材料制成的第一电介质区域和在第一电介质区域上的由第二电介质材料制成的第二电介质区域，第二电介质材料相对于第一电介质材料是选择性地可刻蚀的。在绝缘场结构朝向栅极区域的一侧上，场板与第一电介质区域接触。本实用新型的技术克服了已知方案中的器件所存在的性能方面的某些限制。

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