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在半导体元胞的沟道区上层叠形成张应力材料层和压应力材料层，其中张应力材料层位于压应力材料层与半导体外延片之间，且张应力材料层的应力值大于压应力材料层的应力值。 对形成有张应力材料层和压应力材料层的半导体外延片进行高温快速退火处理。 C...
配备了最新技术，并具有独特的电源容量，可轻松满足您的目的。您可以从现有的中选择。上的模型，或寻求这些产品的完全定制版本。它们经久耐用，具有可持续性，可以不间断地提供一致的服务，而不会发生任何故障。 的。该网站上的12v 202...
12月16日，山东高速能源发展有限公司发布2025年度逆变器框架协议采购招标公告。 逆变器一标段：采购组串式逆变器功率25KW-300KW，拟采购量800MW，入围数：5家。 逆变器二标段：采购集中式逆变器功率三相三...
金融界 2024 年 12 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，成都氮矽科技有限公司申请一项名为“一种 N 面增强型 GaN 双向功率器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119133228 A，申请日期为 2024 年 9 月...
金融界2024年12月18日消息，国家知识产权局信息显示，国网安徽省电力有限公司电力科学研究院和合肥工业大学取得一项名为“一种功率半导体器件结温预测方法及系统”的专利，授权公告号 CN 118965842 B ，申请日期为 2024 年...
金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，广州冠宇储能电池系统有限公司申请一项名为“一种功率半导体器件和功率模块”的专利，公开号 CN 119133124 A，申请日期为 2024年9月。 专利摘要显示， 本申请涉及新能...
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