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　　国产SiC碳化硅MOSFET厂商的发展路径对国产碳化硅功率半导体全球竞争的启示　　第三代半导体材料碳化硅(SiC)作为未来功率电子产业的核心基础材料，正在全球范围内引发激烈的技术竞争。在这一关键领域，国产SiC碳化硅MOSFET...

　　在政策的加持之下，A股市场并购重组的活跃度不断上升，资本市场作为并购重组主渠道的功能凸显，正在持续推动我国产业的整合和升级，助力新质生产力发展。　　5月29日，安徽富乐德科技发展股份有限公司发行股份、可转债购买资产并募集配套资金...

　　碳化硅是第三代宽禁带半导体材料，具有高禁带宽度（3.2eV）、高热导率、高击穿场强和耐高温高压等特性。碳化硅凭借其耐高压、高频、高效特性，正逐步替代传统半导体材料，成为新能源、5G通信和航空航天等领域的关键材料。随着技术突破和成本下降，...

　　士兰微公告，2024年加快推进“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目建设，目前已形成月产9000片6吋SiC MOS芯片的生产能力。基于自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块已累计出货量5万只。同时，...

　　福建用户提问：5G牌照发放，产业加快布局，通信设备企业的投资机会在哪里？　　四川用户提问：行业集中度不断提高，云计算企业如何准确把握行业投资机会？　　河南用户提问：节能环保资金缺乏，企业承受能力有限，电力企业如何突破瓶颈...

　　条中，半导体设备位于半导体产业链最上游，其技术水平直接决定了芯片的性能极限与产业高度。　　半导体设备承担着将电路图形“雕刻”在晶圆上的重任，涵盖光刻、刻蚀、薄膜沉积等关键工艺，技术复杂度与难度极高，占据整个设备市场80%的份额。...

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