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　　国家知识产权局信息显示，湖南虹安微电子有限责任公司取得一项名为“半导体功率器件”的专利，授权公告号CN223810083U，申请日期为2024年12月。　　专利摘要显示，本实用新型实施例提供一种半导体功率器件，包括：衬底、外延层...

　　功率器件（如IGBT、MOS、SiC）在新能源汽车、光伏、工业控制等领域应用广泛，其封装工艺对设备的温度控制、压力精度、焊接空洞率等指标要求极高。传统设备常出现“焊接不良、热应力大、一致性差”等问题，影响器件可靠性。为帮助企业筛选高可靠...

　　晶圆加工是制造功率半导体器件的基础步骤。晶圆是由硅或碳化硅材料制成，并具有平坦表面，晶圆加工包括切割、抛光、清洗和蚀刻等步骤。　　其中，切割过程主要是将大型晶体切割成小晶体，以提高晶片产量。抛光过程是为了去除晶圆表面的缺陷和污染...

　　据港交所发布的信息，深圳市威兆半导体股份有限公司（以下简称威兆半导体）于1月12日首次向港交所呈交了IPO（首次公开募股）申请文件，广发证券为其独家保荐人。　　根据招股书，威兆半导体拟将此次港股IPO募集资金分别用于新建一个生产...

　　国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“一种双向功率器件的动态导通电阻的测量电路及测量方法”的专利，公开号CN121324739A，申请日期为2025年10月。　　专利摘要显示，本发明公开了一种双向功...

　　中国证监会官网显示，江苏长晶科技股份有限公司（简称“长晶科技”）已于1月15日向江苏证监局申请办理IPO辅导备案登记，辅导机构为华泰联合　　辅导备案显示，长晶科技成立于2018年11月，注册资本4.35亿元，法定代表人杨国江。公...

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