国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“一种双向功率器件的动态导通电阻的测量电路及测量方法”的专利，公开号CN121324739A，申请日期为2025年10月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种双向功率器件的动态导通电阻的测量电路及测量方法，测量电路包括：信号生成模块和双向箝位电路；信号生成模块被配置为生成第一驱动信号、第二驱动信号以及箝位控制信号，并控制箝位控制信号的有效电平时段与第一驱动信号以及第二驱动信号同时为有效电平的时段对应；双向箝位电路包括双向开关模块，双向开关模块被配置为在箝位控制信号的有效电平时段导通，以将待测双向功率器件两端的电压箝位至预设电位；在箝位控制信号的无效电平时段关断，并对待测双向功率器件两端的正极性电压和负极性电压均呈现高阻抗状态。本发明可以解决现有技术无法对待测双向功率器件在交流工况下的动态电阻进行精确测量的技术问题。

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　　天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目41次，财产线条，此外企业还拥有行政许可51个。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。