长飞先进半导体申请功率器件相关专利降低器件的导通电阻

作者：小编发布时间：2024-11-05 20:24:38 浏览量：

　　金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号 CN 118888590 A，申请日期为 2024 年 7 月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：外延层远离衬底结构的一侧设置有第一阱区和有源区；有源区至少包括第一掺杂类型有源区，第一掺杂类型有源区内嵌于第一阱区远离衬底结构的侧第阱区设置有沟槽，沟槽位于第一掺杂类型有源区的一侧，沟槽由第一阱区远离衬底结构的表面延伸至第一阱区内；至少一个栅极结构位于沟槽内；至少一个第二阱区位于沟槽内；每一第二阱区位于一个栅极结构远离衬底结构的一侧，第二阱区与栅极结构接触；源极位于外延层远离衬底结构的一侧，源极和有源区接触；漏极位于衬底结构远离外延层的一侧。本发明可以降低器件的导通电阻，提高器件的可靠性。