金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，北京清芯微储能科技有限公司申请一项名为“一种 MOS 功率半导体器件”的专利，公开号 CN 118888593 A ，申请日期为 2024 年 7 月。

　　专利摘要显示，本发明涉及 MOS 半导体技术领域，且公开了一种 MOS 功率半导体器件，包括由若干个 VDMOS 元胞构成的 MOS 半导体器件，所述 VDMOS 元胞包括漏极、源极、栅极以及碳化硅外延层，其中单个所述 VDMOS 元胞之间的栅极相互并联连接；所述 VDMOS 元胞的碳化硅外延层由衬底层、扩散层、P 阱层以及 N 阱层构成；其中，所述 P 阱层包括纯净 P 阱二、重掺杂 P 阱层一、重掺杂 P 阱层二、轻掺杂 P 阱层二、重掺杂 P 阱层三和轻掺杂 P 阱层三；所述 N 阱层包括重掺杂 N 阱层一和轻掺杂 N 阱层一。本发明通过在相邻 P 阱层之间离子注入形成 N 型延续层，并且 N 型延续层的掺杂浓度由中间向两侧逐渐增大，直至与重掺杂 N 阱层一的掺杂浓度相同，该设计可以降低电荷沟道的导通电阻，提高半导体外延层对栅极电压峰值的耐受性。

　　CQ9电子游戏平台 CQ9电子官方入口