金融界 2024年10月24日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号 CN 118800801 A，申请日期为 2024 年 6 月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体结构包括衬底和外延层；第一掺杂类型区位于外延层远离衬底的表面；第一通孔贯穿绝缘层且露出部分第一掺杂类型区；欧姆接触层位于第一通孔内部；沟道层包括第一子区、第二子区和第三子区，第二子区在衬底的正投影和欧姆接触层在衬底的正投影重合；第一子区位于第三子区远离第二子区的一侧；栅氧层覆盖沟道层暴露沟道层两侧边缘的第一子区；第三子区在衬底的正投影和栅极在衬底的正投影重合。本发明可以提高沟道迁移率，且不改变原有的反向击穿特性。

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