金融界2024年10月24日消息，国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN 118800799 A，申请日期为2024年6月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该功率器件包括衬底、半导体外延层、第一掺杂区、第二掺杂区、栅氧化层、耐压注入层、耐压氧化层和栅电极，第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体外延层中，且之间形成有沟槽；栅氧化层设置在沟槽的侧壁和至少部分底壁上；耐压注入层位于沟槽的侧壁和底壁的拐角处；耐压氧化层设置在沟槽的底壁上；栅电极设置在耐压氧化层上；其中，耐压注入层耐压氧化层的厚度大于栅氧化层的厚度。相较于现有技术，本发明在沟槽底部通过离子注入在沟槽拐角处形成耐压注入层，同时在沟槽底部能够形成较厚的耐压氧化层，从而可以大幅提升沟槽栅耐压特性，栅漏电也可以显著改善，大大提升了栅可靠性。

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