金融界2024年10月21日消息，国家知识产权局信息显示，中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）申请一项名为“一种推挽式MOS管可靠性试验方法及其试验电路”的专利，公开号 CN 118759335 A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，一种推挽式MOS管可靠性试验方法及其试验电路，半导体分立器件领域。所述试验方法包括：（1）按多路推挽式MOS管单元并联进行设计，以实现批量推挽式MOS管可靠性试验；（2）采用提高MOS管漏源VDS压降的方法，让MOS管工作在不完全导通状态下进行老炼；（3）输入方波信号按设定的功率放大，以驱动每个单元推挽式MOS管；（4）方波信号经恒流通道恒流。试验电路包括信号模块、驱动模块、器件模块、模拟负载模块、显示模块及电源模块，器件模块内含多路待测推挽式MOS管，采用并联方式连接。解决了现有MOSFET器件稳态直流功率老炼方法不适用于推挽式MOS管可靠性试验的问题。广泛应用于推挽式半导体器件可靠性试验中。

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