安徽长飞先进半导体申请异质结功率器件及其制造方法专利提高功率器件静态性能

作者：小编发布时间：2024-10-22 21:19:04 浏览量：

　　金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为“异质结功率器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 118782652 A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种异质结功率器件，包括栅槽、第一栅极、外延层、第一栅氧化层和设置于所述栅槽中且与所述外延层连接的第一半导体层，所述第一栅氧化层位于所述第一栅极和第一半导体层之间，第一半导体层为硅材料外延层为碳化硅材料。本发明的异质结功率器件，设置SiC‑Si的异质结，综合利用SiC高击穿特性和Si高迁移率特性，可以提高功率器件的静态性能。本发明还公开了一种异质结功率器件的制造方法。