1、负责 IGBT/Sic/sgt mos/sjmos 等新型器件结构设计及性能优化；

　　2、负责新产品的试验方案设计，器件参数测试和异常分析工作，解读产品需求；

　　1、半导体、微电子、应用物理、集成电路等半导体相关方向，硕/博士学历（仅限2024届）；

　　2、熟练应用器件仿真软件 sentaurus 和 Silvaco，熟练使用版图绘制软件：ledit 或者 virtusio ；

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　　3、对半导体器件理论有深入的理解，有 IGBT、SIC、MOS、肖特基、SBR 等项目研发经验者优先；

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　　4、对国际前沿性技术有深入的了解和研究，有创造性思维，可对现有产品做革新设计。

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　　合肥方晶联合半导体有限公司公司成立于2022年9月，是一家专注于功率半导体芯片的晶圆代工服务企业。公司成立以来始终坚持科技强企、质量强企、人才强企，文化强企战略，始终沿着标准化、程序化、正规化、现代化的方向良性发展，强调尊重客户、服务客户的理念，并深化建设提升自身管理标准回馈社会大众的企业文化，配合安徽省“十四五”发展规划，贯彻“芯”“车”协同发展策略，推动国内汽车产业升级。方晶以110纳米制程工艺为主，为客户提供 Trench MOSFET、SGT MOSFET、Super Junction MOSFET、IGBT等功率半导体晶圆制造、晶背减薄、晶圆测试等优质的代工服务。主要应用终端有消费电子、家电、工业电子、光伏新能源、通讯电源及汽车电子等领域。方晶拥有强大的工程技术团队，来自中国台湾及国内的各大晶圆厂，管理团队及研发团队在同行业内拥有10年以上管理和技术经验，力争为客户提供更优质的服务，创造更卓越的价值，同时努力推动国产汽车全产业链发展，加速实现国产汽车功率芯片自给自足的目标。