3月24日，SEMICON China 2024展会在上海盛大开展,同期在上海召开功率及化合物半导体产业国际论坛，京东方华灿光电300323）氮化镓电力电子研发总监邱绍谚受邀出席本次大会，并在会上做主题演讲。

　　邱绍谚博士分享的报告主题为《氮化镓功率器件：发展和挑战》，他首先为与会嘉宾介绍了氮化镓市场格局与应用场景。邱博士认为，GaN材料可广泛应用于消费电子、车载电子和数据中心，21-27年复合增长率有望达到59%。在技术发展方面，目前GaN功率器件集中在650V及以下，未来将往高击穿电压、高功率密度和高集成度方向发展。在器件结构方面，水平式功率氮化镓器件是当下的主流结构，垂直式功率氮化镓器件将有巨大发展潜力。

　　京东方华灿光电氮化镓电力电子坚持水平式和垂直式功率氮化镓器件并进的研发路线V的路径发展，并会规划低压产品以扩充产品线年底面向终端推广。目前，京东方华灿已经有5*6 DFN , 8*8DFN(D-mode），8*8DFN（CASCODE），有望将来应用到多家主流消费终端品牌。其自研的GaN器件拥有出色的热阻效率，GaN on Sapphire最低可达到0.85℃ /W，达到国际一流水准。

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　　展望未来，随着消费市场对快充需求越来越高、AI及数据中心的发展以及新能源汽车替换的加快，氮化镓半导体功率市场有望迎来爆发式的增长。京东方华灿光电作为最早一批入局氮化镓领域的玩家，将和产业链上下游伙伴一起，为消费者提供更加优异的氮化镓器件产品，助力构建美好生活。

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