北极星智能电网在线讯:自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要求。伴随着制造技术进入到深亚微米时代，以SiC、GaN为代表的第三代功率器件正走向成熟，包含功率器件、功率集成电路、BCD工艺在内的功率半导体技术正朝着高温、高频、低功耗、高功率容量，以及智能化、系统化、高度集成方向发展。

　　根据IC Insights最新的调查报告，全球分立式功率晶体管市场在2012年受到整体经济形势的影响出现大幅下滑之后，2013年正在此基础上强势反弹，预计今年全球功率晶体管市场的销售额将增加7%，达到132亿美元的规模，至2017年，全球分立式功率晶体管市场的营收将每年以8.5%左右的速度成长。功率器件市场之所以能够重新步入高速发展的轨道，主要是由于在节能减排、绿色环保的新产业政策下，迫切要求对能源的利用率实现进一步的提升，功率器件作为提高能源转换效率的关键部件，将在当中发挥重要的作用。

　　从本刊采访所接触的厂商中了解到，2013年大部分功率器件厂商的出货量均比去年同期出现了大幅的增长，这一势头有望持续到今年的第四季度，并且在市场持续放量以及某些外部因素的影响下，功率器件市场出现了暂时性供货紧张的状况。

　　针对最近一段时期功率器件市场供应趋紧的情况，英飞凌科技(中国)有限公司电源管理与多元化市场部经理胡凤平分析道，主要原因来自于全球各国加大力度开发新能源、云存储以及4G通信技术，不断追求更高的能源效率，因此对功率半导体的需求量在持续攀升，导致其中一些型号的功率器件在短时间内将出现供应紧张的局面。

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