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半导体元件工业取得具有分级沟道的功率器件专利_CQ9电子中国官方网站
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半导体元件工业取得具有分级沟道的功率器件专利

作者:小编    发布时间:2026-03-04 02:30:49    浏览量:

  国家知识产权局信息显示,半导体元件工业有限责任公司取得一项名为“具有分级沟道的功率器件”的专利,授权公告号CN112786703B,申请日期为2020年10月。

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