国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件”的专利，公开号CN121240483A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本申请提供了半导体功率器件的制作方法，包括以下步骤：提供外延结构；在外延结构的上方形成源极、栅极和漏极；在形成源极、栅极和漏极后，形成场板介质层，其中，场板介质层包括沿水平方向排布的至少两个场板区域，至少两个场板区域的相对介电常数不相同；在场板介质层的上方形成场板金属层，其中，在俯视方向上，场板金属层至少部分的覆盖至少两个场板区域，以在相同高度下实现多层场板的电场调制效果。本申请的有益效果在于：单一场板金属层实现多层场板金属层效果，简化工艺复杂度；多个接触孔的深度相同，工艺简单；各个场板区域的相对介电常数可以根据设计需要进行选取；场板区域的数量可以根据设计需要进行选取。

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　　天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线条，此外企业还拥有行政许可7个。

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　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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