金融界 2025 年 5 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“GaN 器件的背势垒集成方案”的专利，公开号 CN119922931A，申请日期为 2024 年 10 月。

　　专利摘要显示，本公开涉及 GaN 器件的背势垒集成方案。本公开的多种实施例公开了改进的氮化镓(GaN)功率器件以及制造此类器件的方法。制造 GaN 器件的方法可以包括提供具有第一侧和第二侧的半导体基材。半导体基材包括 GaN 材料、前侧势垒层和背侧势垒层。在半导体基材的第一区域上形成 pGaN 着落部，并且在半导体基材的第二区域上形成欧姆接触件。欧姆接触件包括一个或多个通孔接触件着落部和使得与背侧势垒层直接接触的一个或多个背侧势垒接触件。

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