1.1 、 专注功率半导体开发,国内少数具备器件结构创新设计能力的公司
1.2 、 研发人员占比高,自主开发超级结 MOS 、超级硅 MOS 和IGBT 等高压器件
4、 持续结构创新,超级硅 /TGBT/SIC 等高阶新品打造新成长曲线 、 器件结构创新带来优于行业性能,成长动力强劲
图表 35 :2018 -2025 年全 球MOSFET 市场预测及规模(单元:百万美元)
图表 53 :2019 -2025 年全球光伏逆变器总需求(单位: GW )
图表 58 :2021 -2026 年储能电站装机量预测(单位: GW )
图表 59 :2016 -2020 电化学储能电站规 模(单位:亿元)
Copyright © 2024 CQ9电子中国官方网站 版权所有