在单相小功率光伏逆变器中，推荐采用VINCOTECH的H6.5模块，型号为：10-FY07HVA050S5-L984F08。其采用H5晶圆的高速igbt开关频 率最高可达100kHz，同时该模块集成逆变部分所需的全部IGBT和续流二极管，集成度高，可靠性好。

　　我司设计一款小功率光伏逆变器BOOST电路，采用分离器件方案，IGBT设计了RBN40H125S，原驱动设计了ACPL-W341，希望推荐p2p,性能相当的国产的IGBT DRIVER

　　推荐华联光电 HGD341W 数据手册：特点： ● 3A 最大峰值输出电流 ● 2.5A 最小峰值输出电流 ● 电源电压工作范围宽 ● 开关速度快， 延迟时间最大值为200ns ● 输入、 输出间绝缘电压高 ● 贴片式 6L 塑料封装 ● 符合 RoHS 指令最新要求及 REACH 法规最新要求

　　推荐采用renesas推出的GH8 IGBT单管，最新一代的IGBT快管，650V耐压的电流规格有：40A、50A和75A，1250V耐压的电流规格有：25A、 40A和75A。其中，650V耐压的IGBT开关频率最高可达100kHz，1250V耐压的IGBT开关频率最高可达50kHz。可以帮助客户有效提高开关频率，同时 相比IGBT模块具有更高的性价比。

　　在单相小功率逆变器中，推荐采用melexis的单芯片霍尔电流传感器MLX91210，测量电流从芯片内部流过，检测电流范围±25A，耐压值2.1kVrms，可实现 直流、交流和脉冲电流的有效检测，同时其封装为SO8，占用PCB面积很小。

　　对于IGBT单管的驱动，推荐采用renesas的IGBT驱动光耦PS9531L3，其驱动电流为2.5A，驱动侧电压最高支持35V，满足IGBT驱动电压 +15V\-10V的需求，其输出侧推挽电路的压降仅为1.5V，可以在驱动电源电压一定的条件下，输出更高的驱动电压，保证IGBT在导通时处于饱和导通，减小导通损 耗。同时该光耦不带保护功能，性价比更高。

　　在光伏逆变器中，BOOST电路采用IGBT模块时，其开关频率只有20kHz，开关频率低，开关损耗大，效率低。推荐采用littelfuse的SiC MOS管和二极 管，其开关频率可达100kHz，开关频率高，开关损耗低，可以提高整机效率，并减小无源器件（BOOST电感）的感量和体积。

　　描述-该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

　　在全球清洁能源的浪潮中，光伏产业正以前所未有的速度蓬勃发展。作为光伏发电系统的核心设备，光伏逆变器扮演着将直流电转化为交流电的关键角色，其性能直接关系到整个系统的效率和安全性。而在这一复杂而精细的转换过程中，光电耦合器（光耦）以其独特的优势，成为了光伏逆变器中不可或缺的“智慧守护者”。本文晶台来为大家介绍光电耦合器在光伏逆变器中的作用，希望对各位工程师朋友有所帮助。

　　Vincotech推出了一系列的T型三电平模块，其结构紧凑，将多个分立器件集成到一个模块中，减少了功率器件之间连线的寄生阻抗。

　　目前，用户需求的储能设备主要为BMS电池管理系统，光伏并网逆变器、储能逆变器。针对以上家庭储能设备需求，并结合光伏系统各单元电路安全隔离特性，华盛昌推出了一整套家庭光伏储能系统，其中逆变器主要为并网逆变器和混合逆变器这两类。

　　日前，为期3天的第十七届SNEC光伏展完美谢幕。NGI倾力打造了三大产品展区，带来了光伏电池测试、光伏逆变器测试、储能BMS测试、全系列源载类四大解决方案，充分展示了NGI在光储充测试领域的深厚技术积淀和创新能力，为客户提供更精准可靠、专业高效的解决方案，助力“双碳”目标的实现。

　　新能源行业中的逆变器，主要应用在光伏和储能领域。其中光伏逆变器，是光伏发电系统主要部件之一，连接光伏方阵和电网，是确保光伏电站长期可靠运行的关键。光伏逆变器，则可控制蓄电池的充电和放电过程，进行交直流的变换。

　　Vincotech H6.5功率模块相比传统的HERIC少一颗diode，因此效率相对会比HERIC有所提高。选用H6.5拓扑能够抑制共模电流，同时配合不同类型的芯片能够提高产品效率和可靠性。

　　碳化硅功率器件的不断发展，为光伏逆变器的性能提升和成本优化带来了新的可能。碳化硅器件应用于大功率集成度要求高的场合，可显著改善微型逆变器效率和功率密度。本文SMC介绍碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例。

　　高频电压对寄生电容Cpv高频充放电，从而生产漏电流，严重危害人生安全， 因此H4桥在单相大功率中难以胜任，推荐使用Vincotech的H6.5拓扑IGBT功率模块

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