随着电力电子变换系统对效率和体积提出更高要求，SiC（碳化硅）将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用，SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。

　　从目前电压等级4Kv以下的应用来看，SiC MOSET有取代SiMOSFET的趋势。SiC MOSFET有着卓越的开关损耗和超小的导通损耗。目前,SiC MOSFET大批量应用的最大障碍还是居高不下的价格。但综合评估整个系统成本， SiC MOSFET能够带来系统整个体积和其他成本的下降。

　　为了有效降低系统成本和提高功率密度，需要尽可能提高产品的开关频率，降低使用电抗器的感量和体积。传统的Si IGBT开关频率受开关损耗的限制只能做到10~20kHz，而SiC mosfet可以将开关频率提高到100~200kHz，且开关损耗很低。根据以下计算公式：

　　开关频率的提高，可以有效减少电感器的体积和重量，同时实现比Si IGBT更高的效率。

　　图2显示的是功率为5Kw的逆变器使用的电抗器，分别在20kHz和100kHz两种开关频率下的电感参数：

　　通过上述的对比，可以看出使用CREE SiC器件提高开关频率，可以有效减小系统体积，使光伏逆变器实现超高的功率密度。

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　　2017-05-04-技术问答虽然这三款都是10A的碳化硅二极管，但是还有较大区别：1）C4D10120A是TO220封装，内部集成一个二极管芯片；2）C4D10120D是TO247封装，内部集成两个二极管芯片并联；3）C4D10120E是TO252封装，内部集成一个二极管芯片。

　　2020-07-04-器件选型目前太阳能逆变器的高压DC/DC中主流产品有科锐（WOLFSPEED）C2M0080120D，对于光伏产业的大力发展，SIC MOSFET用量也在不断增加，需要一款成本更低、货源更稳定的产品作为替换。本文推荐中电国基南方的碳化硅SiC MOSFET WM1A080120K，该产品可pin-pin替代C2M0080120D，能够达到更高的工作温度-55℃到175℃，具有更低的开启电压2.3V。

　　优选器件方案本方案通过采用WOLFSPEED高效SIC肖特基二极管，Vincotech MNPC T字型逆变IGBT模块及相关的器件，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高。

　　优选器件方案本方案通过采用 WOLFSPEED 公司的碳化硅技术二极管及相关的功率器件，可改善 PFC 和输出整流部分的效率，提升 3.3kW 车载充电机整机效率，增加系统电能利用率。

　　2020-06-28-器件选型续流回路，市面上主流的型号有WOLFSPEED公司的C4D10120A，不过因国产化需求和价格压力等因素，很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案，本文重点推荐中电国基南方（CETC）的碳化硅肖特基二极管WS3A010120A，该产品可pin-pin替代C4D10120D，而且有更好的抗浪涌能力。

　　2019-04-28-应用方案采用Wolfspeed 推出的SiC 肖特基二极管替代Si肖特基二极管，重新设计Boost PFC，能够提高开关频率，降低体积，获得更高的效率和功率密度。

　　优选器件方案该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

　　2019-03-30-应用方案在电焊机市场，逆变模块通常采用IGBT模块来设计，开关频率一般在10kHz到75KHz。然而越来越多传统焊接客户要求高精度焊接，这就需要开关频率提高至250kHz左右，只能采用高开关频率SiC器件，Wolfspeed 碳化硅 MOSFET提供相关器件解决方案。

　　2019-03-27-应用方案通常3.3kW车载充电机输出整流部分采用硅基技术的器件，本方案通过采用WOLFSPEED公司的碳化硅技术二极管，可改善输出整流部分的效率，提升3.3kW 车载充电机整机效率，增加系统电能利用率。

　　2019-03-01-器件选型光伏电站并网认证中对于系统效率有比较严格要求，这就要求光伏逆变器在设计中要考虑器件损耗。很多工程师会选择在BOOST部分选择碳化硅MOSFET来提高开关频率减小系统损耗。本文将介绍Littelfuse 公司的1200V 80mΩ SiC MOSFET，从器件损耗方面详细说明优势。

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