1月13日，全球碳化硅技术龙头Wolfspeed宣布，成功制造出行业首个300毫米(12英寸)单晶体碳化硅晶圆，标志着产业向更高产量、更低成本制造迈出了决定性的一步，为满足未来十年AI、电动汽车的庞大需求铺平了道路。

　　几乎在同一时间，国内也传来捷报。由晶盛机电子公司浙江晶瑞研发的12英寸碳化硅衬底，成功实现了厚度均匀性(TTV)≤1微米的关键技术突破，并已开始小批量出货。这打破了碳化硅因其超高硬度带来的精密加工瓶颈，并且整条中试线%国产化，意义重大。

　　台积电的最新财报同样推波助澜，1月15日，台积电公布2025年第四季度财报。该季度台积电营收1.046万亿新台币(约合337.3亿美元)，同比增长20.5%。该季度台积电净利润5057亿新台币(约合160亿美元)，同比增长35%，创历史新高，并连续第七个季度实现两位数增长。另外，台积电预计2026年资本支出将增长高达37%，达到560亿美元，远高于2025年实际支出的409亿美元，创下该公司历史新高。

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　　这一潜在的天量需求预期，彻底打开了碳化硅在AI算力领域的想象空间。作为第三代半导体核心材料，碳化硅(SiC)凭借其独特的特性，正逐步突破传统硅基半导体的物理极限，成为推动新能源革命与算力升级的关键力量。

　　另外，凭借其高耐压、高频率、低损耗的优异性能，碳化硅正加速渗透新能源汽车的主驱逆变器、车载充电机(OBC)及直流变换器(DC-DC)。机构数据显示，采用碳化硅模块可使电动汽车续航里程提升5%-10%，或降低电池成本

　　在微波通讯领域，碳化硅同样大放异彩，碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。

　　中金公司最新研究报告认为，碳化硅(SiC)材料是第三代化合物半导体的典型代表，特别是在下游需求快速成长的新能源相关应用中，中金公司认为SiC相比Si基材料优势明显：1)在新能源车领域，SiC器件有望解决续航里程短、补能时间长等痛点；2)在光伏发电方面，SiC器件有望提升逆变器转换效率及使用寿命。

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　　东方证券先前同样表示，随着英伟达GPU芯片的功率越来越大，将众多芯片集成到硅中介层将导致更高的散热性能要求，而如果采用导热率更好的SiC中介层，其散热片尺寸有望大幅缩小，优化整体封装尺寸。基于此，部分头部公司已经注意到碳化硅在中介层中的应用潜力。碳化硅导热性能优异，有望在中介层、散热基板等环节应用，相关厂商有望受益。