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助力800VDC架构普及多家知名功率器件企业推出千伏耐压GaN

作者:小编    发布时间:2026-01-07 18:10:28    浏览量:

  充电头网继续基于计数据分析,发现能华、量芯微以及PI已经推出多款千伏应用氮化镓,进一步延展氮化镓的高压段应用。

  对于千伏耐压氮化镓而言,是把GaN原本在消费级应用的高频、低损耗、小封装、高功率密度的优势,往高压段延伸,用来和超结MOS、IGBT、SiC竞争。它在高压下仍具备极低开关损耗、无体二极管反向恢复、高频工作能力,能显著提升系统效率、减小磁性与滤波器件体积,让 3kW~几十 kW 级电源在相同体积下做到更大功率或在同功率下降得更小、更轻,同时也更利于实现高压母线直挂、减少级联级数。

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  充电头网基于计数据筛选出六款千伏耐压氮化镓器件,耐压覆盖1200~1700V,封装类型提供TO、DFN以及InSOP-T28G。有关器件的详细信息我们将在下文为您详细介绍。

  能华CE12H080TOCI一款1200V氮化镓功率器件,该器件的导阻为80mΩ,栅极电荷为10.7nC,采用TO247封装,能够通过高开关速度和低导通损耗提高效率,该器件还具有易于驱动、兼容硅MOS栅极驱动器的特点,并能通过更高的功率密度减少系统体积和重量。

  应用方面,CE12H080TOCI 广泛应用于新能源、工业和汽车领域,该器件还为需要紧凑和高效形态的系统提供支持,同时符合RoHS环保标准。

  能华CE12H180TOAI一款1200V氮化镓功率器件,该器件的导阻为180mΩ,栅极电荷为10.7nC,采用TO220封装,能够通过高开关速度和低导通损耗提高效率,该器件还具有易于驱动、兼容硅MOS栅极驱动器的特点,并能通过更高的功率密度减少系统体积和重量。

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  应用方面,CE12H080TOAI广泛应用于新能源、工业和汽车领域,该器件还为需要紧凑和高效形态的系统提供支持,同时符合RoHS环保标准。

  GPIHV30DFN是一颗1200V耐压的增强型氮化镓器件,采用DFN8x8封装,导阻仅65mΩ,具有优异的开关性能,适用于高频和高效的应用。

  该器件适用于开关电源、电动汽车OBC和DC-DC转换器、服务器和电信电源应用、UPS、逆变器及光伏系统等,非常适合需要高效能和紧凑设计的产品。

  GPIHV30SB5L是一颗1200V耐压的增强型氮化镓器件,采用TO263-5L封装,导阻仅65mΩ,具有优异的开关性能,适用于高频和高效的应用。

  该器件适用于开关电源、电动汽车OBC和DC-DC转换器、服务器和电信电源应用、UPS、逆变器及光伏系统等,非常适合需要高效能和紧凑设计的产品。

  GPIXU30SB5L是一颗1200V耐压的增强型氮化镓器件,采用TO263-5L封装,导阻仅70mΩ,具有优异的开关性能,适用于高频和高效的应用。

  该器件适用于开关电源、电动汽车OBC和DC-DC转换器、服务器和电信电源应用、UPS、逆变器及光伏系统等,非常适合需要高效能和紧凑设计的产品。

  IMX2353F属于InnoMux2-EP系列芯片,耐压1700V,采用InSOP-T28G封装,支持先进的零电压开关拓扑结构,专为高效能应用设计,并支持外部功率因数校正,提高整体系统效率,降低损耗与谐波。此外,集成的EcoSmart技术可在轻载或待机状态下优化能耗,进一步提升能源效率。该芯片还具备过压保护功能,有效防止电压尖峰损坏电路,减少对外部元件的依赖,应用范围广泛,尤其适用于高压保护需求的场景。另外,该器件可在200~1000V直流场景下运行,适配800VDC平台应用。

  InnoMux2-EP系列符合国际安全与环保标准,获得RoHS认证,确保不含有害物质,符合环保要求。同时,产品已通过CE认证,符合欧洲及全球市场的电磁兼容性和安全标准。芯片适合高功率转换系统,满足各种市场需求。

  千伏耐压氮化镓器件逐渐成为高压应用领域的重要竞争者,尤其在新能源、工业及汽车等领域展现出广泛应用前景。基于低开关损耗、高效率以及体积小巧的优势,氮化镓器件在于MOS、IGBT和SiC等传统高压器件的竞争中,逐步实现差异化竞争。未来,随着更多高压氮化镓产品的推出,预计将进一步推动高功率密度系统的小型化和高效化,满足AI服务器电源、新能源汽车、储能等对效率有极致需求的场景需求。

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