近日,士兰微电子旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生产线个月紧张有序地建设后,正式举行全面封顶。
士兰集宏项目总投资120亿元,分两期建设,总建筑面积达23.45万㎡,一期投资70亿元,预计2025年四季度初步通线年一季度试生产,达产后年产能42万片8英寸SiC芯片;二期投产后总产能将提升至72万片/年,成为全球规模领先的8英寸SiC功率器件产线。该项目以SiC MOSFET为核心产品,主要服务于新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等高需求领域。
据悉,士兰集宏项目达产后可满足国内40%以上的车规级SiC芯片需求,并带动上下游产业链集聚厦门,加速第三代半导体材料、设备国产化进程。
此外,士兰微已实现第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量产,其主驱模块已获国内知名车企批量采购,技术实力进一步巩固。
据士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越介绍,士兰集宏力争到2028年底最终形成,年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。届时,项目可以较好地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求,并有能力向光伏、储能、充电桩、Ai服务器电源、大型白电智能功率模块等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片,同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。
据悉,项目全面达产后,预计年产值超120亿元,助力厦门打造第三代半导体产业集群,并为中国在全球功率半导体竞争中抢占高地。
士兰微2024年业绩扭亏为盈,净利润达1.5亿元-1.9亿元,得益于新能源汽车芯片业务增长。公司同步推进12英寸IGBT、SiC产线年实现第Ⅳ代SiC模块批量供货,进一步巩固行业地位 。
业界表示,士兰集宏项目的封顶,不仅是士兰微“IDM模式”的又一里程碑,更是中国半导体产业自主化的重要突破。随着全球产业格局加速转型,SiC芯片的战略价值日益凸显,士兰微的布局或将为国产替代开启新篇章 。
声明 本文来源:网络综合, 文中所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请第一时间告知,我们将根据您提供的证明材料确认版权并按国家标准支付稿酬或立即删除内容!
《变频器世界》诚邀行业内容创作者和专栏作家成为合作伙伴,也欢迎读者为本号推荐稿件。对于每篇被采纳的稿件,我们将提供业界高水平的稿酬;具有独家角度原创稿件,稿酬更佳。请将原创作品和推荐稿件投至邮箱:
Copyright © 2024 CQ9电子中国官方网站 版权所有