碳化硅功率器件可应用于充电模块的PFC与次级整流部分，由于其具有高速开关和低导通电阻的特性，即使在高温条件下也能显示优异的电气特性，可大幅降低开关损耗，实现周边元器件的小型化。

　　碳化硅功率器件可实现新能源汽车OBC、DC/DC转换器及电机驱动系统小型化、轻量化、高效化，提高系统整体可靠性，可使电动汽车在续航里程提升6%左右。

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　　光电转换效率作为并网光伏逆变器最重要的性能指标，传统硅基器件已无法实现更高的效率转换。而碳化硅因其具有更低开关损耗的特性，在并网光伏逆变器中应用可大大减少其电能损耗，同时还可减积减重，降低整机成本。

　　碳化硅（SiC）是性能优异的第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。

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　　碳化硅功率器件的应用可使系统减积减重、提高整体可靠性，并显著提升汽车续航里程。

　　未来高电压、大容量、低损耗的柔性输变电对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。

　　碳化硅功率器件在特种领域电源的应用，可大幅提升器件在特定环境下抗干扰、抗辐射以及散热能力

　　北京世纪金光半导体有限公司（以下简称“世纪金光”）是一家致力于第三代宽禁带半导体功能材料和功率器件研发与生产的国家级高新技术企业。公司成立于2010年12月24日，注册资金26,613万元......

　　作为国家级高新技术企业，世纪金光始终注重自主创新。目前，公司先后完成了第三代半导体功率器件设计与验证北京市工程实验室、北京市专利试点单位以及院士工作站等的建设工作，并获得宽禁带材料检测CNAS认证。

　　世纪金光成立于2010年12月24日，经过多年的发展，公司已完成从碳化硅功能材料生长、功率元器件和模块制备、行业应用开发和解决方案提供等关键领域的全面布局。

　　公司以“求真务实积极创新诚信为本客户第一”的核心价值观，立足国内、瞄准世界、着眼未来、引领半导体行业尖端技术的发展。

　　北京世纪金光半导体有限公司6英寸碳化硅晶圆通线项目正式启动，现有设备升级加改造、设备二次配、工装夹具、化学试剂、特殊气体等需求，诚邀具有碳化