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　　芯联集成电路制造股份有限公司研发新型沟槽型功率器件结构及制造方法，旨在提高对准精度，扩大接触孔与栅极沟槽间距，增加相邻栅极间发射极区面积，解决阈值电压开启难题。　　天眼查显示，芯联集成电路制造股份有限公司“沟槽型功率器件结构及其...

　金融界2024年9月30日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司取得一项名为“碳化硅功率器件及其制造方法”的专利，授权公告号 CN 117650051 B，申请日期为2023年12月。　　特别声明：以上内容(如有图片或...

　金融界2024年10月1日消息，国家知识产权局信息显示，珠海镓未来科技有限公司取得一项名为“半导体功率器件”的专利，授权公告号 CN 221783215 U，申请日期为 2024 年 2 月。　　专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体功...

　　金融界2024年10月1日消息，国家知识产权局信息显示，中科意创（广州）科技有限公司取得一项名为“一种功率半导体器件”的专利，授权公告号 CN 221783216 U，申请日期为2024年2月。　　专利摘要显示，本实用新型涉及半...

　　有人@你！邓二平教授邀请您参加功率半导体器件封装、测试与可靠性专题培训! 　　近日，合肥工业大学知名教授邓二平博士受邀担任功率半导体器件封装与可靠性关键技术的专题培训主讲老师。邓二平教授自2013年起，便深耕于功率半导体器件领域，...

　　数据中心和高速互联对数据传输超大容量、超低时延的需求日益增长，空芯光纤因其卓越性能，使光传输系统实现超低时延、超低非线性、超低色散、超大带宽传输，也将深刻改变光通信系统的技术和产业生态。长久以来，光放大器输出功率受限于单波的非线dBm上...

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