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[0001]本发明涉及一种半导体功率元件，更具体而言，涉及一种P型金属氧化层上具有背向电极的半导体功率元件。 [0002]近年来氮化镓材料在光电及电子元件的商业应用上，有相当大幅度的成长，以氮化镓为材料的半导体功率元件，如氮化...
据研究机构TrendForce集邦咨询报告，2023年全球SiC（碳化硅）功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲增长，前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%，其中ST（意法半导体）以32.6%市占率持续领先，Onsemi...
AMD与英伟达需求推动FOPLP发展，预估量产时间落在2027-2028年 云端CSPs将扩大边缘AI发展，带动2025年NB DRAM 平均搭载容量增幅至少达7% 近日，据盐城网消息，康佳芯云半导体科技(盐城)有限...
本研究报告是由宇博智业在大量周密的市场调研基础上，并依据了国家统计局、国家商务部、国家发改委、国务院...[详细] 本研究报告是由宇博智业在大量周密的市场调研基础上，并依据了国家统计局、国家商务部、国家发改委、国务院...[详...
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，湖南虹安微电子有限责任公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件”的专利，公开号CN 118919571 A，申请日期为2024年9月。 专利摘要显示，本发...
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN 118919560 A，申请日期为2024年8月。 专利摘要显示，本公开涉及一种半导...
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