1. 负责Si、SiC基功率半导体器件，包括二极管、MOSFET产品应用方案设计；

　　2. 具有光伏逆变、储能系统或直流充电桩等设计经验，同时有新能源汽车OBC或DC-DC设计经验者优先；

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　　3. 具有电力电子硬件开发，或应用工程师（功率半导体器件）1年以上工作经验；

　　4. 掌握二极管、MOSFET、IGBT等功率半导体器件特性，有SiC功率器件设计或应用经验者优先；

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　　成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年12月，是成都首家以第三代宽禁带半导体碳化硅（Silicon Carbide）器件设计为核心的国际化团队，主创团队包含欧洲器件设计与工艺专家和日本器件质量与可靠性专家，产品均由公司独立设计开发并拥有自主知识产权，目前产品主要包括碳化硅单管系列及硅基的MCR（MOS-Controlled Rectifiers)系列。公司成立之初，便以汽车电子级碳化硅功率半导体的设计开发为主，从应用市场出发，瞄准美国Cree（Wolfspeed）、德国英飞凌产品性能指标，建立了从原材料供应，到制版，到流片，到封测，到可靠性验证的完整设计开发、生产制造链。公司成立至今，已成功完成了碳化硅功率二极管和MOSFET的研发设计和流片，并进入量产验证阶段。