AMD与英伟达需求推动FOPLP发展，预估量产时间落在2027-2028年

　　云端CSPs将扩大边缘AI发展，带动2025年NB DRAM 平均搭载容量增幅至少达7%

　　近日，据盐城网消息，康佳芯云半导体科技(盐城)有限公司（下文简称“康佳芯云”）负责人在接受采访时表示，公司正在推动对第三代半导...

　　近日，松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队....

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　　得益于AlN单晶复合衬底的材料优势 (位错密度居于2108 cm-2数量级)，AlGaN缓冲层厚度降至...

　　未来公司在化合物半导体端不会缺席，旗下氮化镓（GaN）今年实现量产，而随着碳化硅（SiC）衬底价格下降...

　　公司此前计划投资4.43亿美元（折合人民币约31.53亿元），生产碳化硅粉料、衬底、外延...

　　近日，据长飞先进武汉基地相关负责人介绍，长飞先进武汉碳化硅基地11月起设备进驻厂房，明年年初开始调试，预计2025年5月量...

　　国科测试在苏州总部有6000多平米的生产基地，专注于第三代半导体领域电学检测系统及机器视觉设备的智能制造...

　　碳化硅基半导体器件用超高温退火炉用于碳化硅的高温退火活化工艺，可以消除晶格缺陷...