金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，湖南虹安微电子有限责任公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件”的专利，公开号CN 118919571 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本发明实施例涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件，其中所述屏蔽栅沟槽MOSFET包括：衬底、外延层、第一沟槽、第二沟槽、氧化层、源极多晶硅层和栅极多晶硅层；其中，所述衬底的一侧上设置有外延层；所述外延层内形成有所述第一沟槽和所述第二沟槽；所述第二沟槽内设置有所述氧化层和所述栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层设置在所述氧化层上；其中，所述外延层远离所述衬底的一端内分别形成有源区和阱区，所述阱区设置在所述源区靠近所述衬底的一侧；所述第二沟槽穿过所述源区和所述阱区延伸至所述阱区靠近所述衬底的一侧表面上。本实施例通过设置第一沟槽和第二沟槽，以降低器件的导通阻抗，提升器件的效率和性能。

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