士兰微申请双向功率器件及其制造方法专利提高双向功率器件的耐压特性

作者：小编发布时间：2024-11-12 11:32:02 浏览量：

　　金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，杭州士兰微电子股份有限公司申请一项名为“双向功率器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 118919552 A，申请日期为2019年7月。

　　专利摘要显示，公开了一种双向功率器件及其制造方法，双向功率器件包括半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的分压介质层；其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请通过在控制栅上方形成分压介质层，从而使控制栅远离源区和漏区，在双向功率器件截止时，该分压介质层承担了纵向方向上源区和漏区施加的高压，提高双向功率器件的耐压特性。