青禾晶元申请低电阻复合衬底结构及制备方法专利大大降低了功率器件的制造周期和成本

作者：小编发布时间：2024-11-06 07:54:56 浏览量：

　　金融界2024年11月5日消息，国家知识产权局信息显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司申请一项名为“一种低电阻复合衬底结构及制备方法”的专利，公开号 CN 118895564 A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本申请涉及半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种低电阻复合衬底结构及制备方法。一种低电阻复合衬底结构，包括支撑层及形成于所述支撑层上的膜层；所述膜层为单晶碳化硅，晶型为4H型；所述支撑层为单晶碳化硅，晶型为3C型；所述支撑层电阻率小于1mΩ·cm。采用本发明的复合衬底，因为支撑衬底的电阻率非常低，背面减薄量大大减少，甚至可以不需要背面减薄步骤，大大降低了功率器件的制造周期和成本，提升器件良品率。