功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，是电子产品的基础元器件之一。近年来，随着新能源、光伏、电子制造业、智能交通等产业的发展，市场对功率器件的需求迅速升温。

　　由于在禁带宽度、导热性能、高压击穿、电子饱和漂移速度上的优势明显，第三代半导体被广泛应用于高温、高功率、高压、高频等等场景，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的化合物半导体产业，正在快速崛起。作为硅器件的延伸，化合物半导体和硅基半导体两者构成了现在的电子化、智能化时代。

　　九峰山实验室与合作伙伴一同为客户提供功率器件研发平台，提供SiC，GaN的完备工艺平台技术。

　　—关键技术指标多角度SiC刻蚀工艺，刻蚀角度15°-90°，±0.5°偏差;SiC离子注入，激活工艺;

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　　GaN-IC HEMT的功率器件得益于性能上的巨大优势，GaN功率电子器件在市场上愈发受到欢迎。但目前要实现GaN功率集成电路仍面临两个主要问题：传统硅衬底上的全氮化镓集成电路缺乏有效的绝缘措施；缺乏互补的氮化镓p型场效应晶体管。针对以上两个问题，九峰山实验室正在和合作伙伴一起开发GaN IC集成技术。包括硅基上的GaN器件单元集成，SOI上的GaN集成等。采用SOI和沟槽隔离技术，在SOI衬底上埋藏氧化层的技术相结合，可以实现了氮化镓模块和元件之间的电气隔离，避免了半桥中的背栅效应，抑制了各种组件之间的串扰，在SOI衬底上制备出了氮化镓单片集成电路。

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　　化合物半导体种类繁多，能满足不同器件的要求。目前，一些新兴的超宽带隙半导体正在逐渐走进人们的视线。这些材料的特性让开发者可以有望基于此开发出小型化，高效的、性价比优良的超大功率晶体管。未来，超宽禁带半导体技术将帮助人类构建起更智能、更高效、更绿色的世界。

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