金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，重庆平创半导体研究院有限责任公司取得一项名为“一种分立式功率半导体器件封装结构”的专利，授权公告号CN 221885099 U，申请日期为2024年3月。

　　专利摘要显示，本发明涉及功率半导体技术领域，具体公开了一种分立式功率半导体器件封装结构，包括：半导体芯片、金属引线框架，还包括门极键合线、异形金属引脚、 塑封体、第一电热金属连接件、第二电热金属连接件和DCB；半导体芯片焊接在金属引线框架上；第一电热金属连接件焊接在 半导体芯片上；第二电热金属连接件焊接在异形金属引脚上；电路刻蚀层焊接在第一电热金属连接件和第二电热金属连接件上；门极键合线分别连接第一电热金属连接件和第二电热金属连接件。采用本发明的技术方案能够实现双面散热，可适用于650V以上的高压应用工况，尤其适用于碳化硅芯片的封装。

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