金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“氮化物垂直功率器件”的专利，授权公告号CN 221861668 U，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本实用新型公开了一种氮化物垂直功率器件。该氮化物垂直功率器件包括器件主体结构、栅层结构、源电极、漏电极与栅电极，器件主体结构包括依次层叠设置的漏电极接触层、漂移层、具有第一通槽的p型氮化物层与具有第二通槽的源电极接触层，第一通槽与第二通槽连通构成栅沟槽结构；栅层结构包括氮化物过渡层和第一绝缘层，氮化物过渡层覆盖栅沟槽结构的侧壁与槽底，第一绝缘层设置在氮化物过渡层上；栅电极的至少一部分设置在栅沟槽结构内；氮化物过渡层包括层叠设置的第一氮化物过渡层和第二氮化物过渡层，第一氮化物过渡层的密度小于第二氮化物过渡层的密度。本实用新型避免了器件的漏电问题，提高了器件的耐压性和抗击穿性能。

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