芯迈半导体申请超结功率器件及其制造方法专利元胞尺寸明显降低

作者：小编发布时间：2024-10-22 21:18:22 浏览量：943

　　金融界2024年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，杭州芯迈半导体技术有限公司申请一项名为“一种超结功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN 118763119 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种超结功率器件，包括衬底层、外延层、栅极结构和位于栅极结构下方的电介质区域、位于栅极结构和电介质区域的两侧的阱区、位于阱区内的源区以及阱接触区。在电介质区域的部分侧壁上覆有具有第二导电类型的半导体层。电介质区域的未覆盖半导体层的部分至少位于源区之间的栅极结构下方。本申请提供的超结功率器件，元胞尺寸明显降低，器件的导通性能好。同时本申请提供的制造方法简单易行，可显著减少工艺时间和制造成本。