金融界2024年10月17日消息，国家知识产权局信息显示，中晶新源（上海）半导体有限公司取得一项名为“一种宽安全工作区的半导体功率器件结构及应用其的半导体功率器件”的专利，授权公告号 CN 221841843 U，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，本实用新型公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件结构，包括：衬底和外延层，所述外延层设置在衬底上；沟槽，所述沟槽设置在外延层内；绝缘隔离层，所述绝缘隔离层设置在外延层上；接触孔，所述接触孔贯穿绝缘隔离层并延伸至体区内；所述接触孔的底部在水平方向上具有不同的宽度。本实用新型通过使元胞不同位置的阈值电压不同，根据实际场景以及需求对元胞进行组合，使得器件使用过程中当栅源电压较小时，可以选择部分区域不开启，此时器件本身电流不大，部分区域开启就可以完成工作，部分区域不开启对于整个器件而言功率密度减小，散热能力增强。本实用新型还公开了应用上述结构的半导体功率器件。

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