在6月份举办的第十七届SNEC光伏展和2024中国国际国防电子展览会上，锴威特（688693.SH）携超结MOSFET、中高压平面MOSFET、600-1200VSiCSBD、电源管理、电机驱动系统等控制芯片及功率器件等系列产品惊艳亮相，并获得了广泛关注。

　　锴威特是一家专注于功率半导体的设计、研发和销售的高新技术企业。功率半导体市场近年来持续增长，这一趋势主要得益于多维市场的持续推动以及对电能转换和电路控制需求的不断增加。专业人士分析，2024年全球功率半导体市场规模将达到522亿美元，年复合增长率约5.46%，为功率器件提供了长期增长的动力。锴威特目前在硅基MOSFET和SiC基功率器件产品上已取得优异成绩，并有望在新能源汽车、光伏能源、轨道交通和智能电网等新兴产业中占据有利地位。

　　随着国内对核心芯片国产化替代的迫切需求，锴威特凭借其在高可靠功率半导体领域的长期优势，正逐步实现功率半导体产品的国产替代。公司通过持续的技术创新，已在高可靠领域获得客户的高度认可。公开资料显示，2023年锴威特研发费用为3,602.11万元，同比增长58.55%；新立项研发项目37个，在研项目合计达到89个。同时公司通过业务培训、技术研讨、高校合作等方式不断完善人才培养体系，加强人才梯队建设，积极引进高技术研发人才和研发团队，公司研发人员人数从2023年初的40人增至年末的65人。

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　　以SiC为代表的第三代半导体材料给功率半导体行业带来了新的发展契机，SiC凭借低功耗、耐高压、耐高温、高频等优势特性，在助力国家实现碳中和战略目标方面具有重要作用，其应用前景广阔。据了解，锴威特已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力，并积累了多项具有原创性和先进性的核心技术。在SiC基功率器件方面，锴威特是国内为数不多的具备650V-1700VSiCMOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。未来，锴威特将通过不断的研发，提升硅基MOSFET产品的技术和性能、优化平面MOSFET、FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域，加强在超高压电压段的产品布局、技术积累和客户开发。

　　相信随着锴威特持续的研发投入、产品线不断丰富以及对新应用领域的逐步涉足，公司市场开发能力、销售能力、服务客户能力亟待加强，进一步提升公司的市场占有率及核心竞争力。（数据来源：锴威特）