金融界2024年10月1日消息，国家知识产权局信息显示，中科意创（广州）科技有限公司取得一项名为“一种功率半导体器件”的专利，授权公告号 CN 221783216 U，申请日期为2024年2月。

　　专利摘要显示，本实用新型涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件，包括器件主体、栅电极、第一栅极绝缘介质层、第二栅极绝缘介质层、源极金属、漏极金属和栅极金属。器件主体上部设置有以第一方向为深度方向，且沿第二方向延伸的沟槽。沟槽沿第二方向的两侧均设置有栅电极。栅电极与沟槽槽底之间以及栅电极与沟槽侧壁之间均设置有第一栅极绝缘介质层。栅电极的顶面以及栅电极未设置有第一栅极绝缘介质层的侧壁上均设置有第二栅极绝缘介质层。源极金属底端延伸至沟槽的槽底，且与p型保护区欧姆接触，n型源区和p型源区均与源极金属接触，第二栅极绝缘介质层分隔源极金属与栅电极。

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