三安出席IPF2024碳化硅功率器件大会阐述先进技术与工艺需求

作者：小编发布时间：2024-07-08 05:32:06 浏览量：

　　6月26-28日，IPF 2024碳化硅功率器件制造与应用测试大会在无锡市锡山圆满举行。大会以“穿越周期，韧性增长”为主题，解构SiC市场增长确定性与新业态模式、前沿技术趋势以及落地应用进程，近千名产业链技术专家齐聚。

　　会上，三安应用技术总监姚晨发表了精彩的技术报告。报告首先基于SiC宽禁带材料的特点，剖析了SiC二极管与MOSFET器件耐高电压、高频、高温的特性，以及其在新能源汽车、电源领域的应用优势。随后指出了当前影响SiC功率器件更大范围推广应用的关键痛点，如成本、可靠性、短路、驱动等问题，并说明了行业解决方案。

　　在报告的核心部分，姚晨根据三安全产业链的企业特点，分别从晶圆、外延、芯片、封装以及应用多个方面详细阐述了SiC功率器件对于半导体先进技术与工艺的需求。他认为，要充分发挥SiC功率器件的潜力、开拓更广范围的应用市场占比，必须突破现有技术与工艺的局限，如8英寸晶圆的量产与切割、高质量低缺陷的外延、栅氧可靠的低比导通电阻芯片以及耐高结温且功率循环寿命高的先进封装。他强调了三安在技术研发和工艺创新方面取得的突破，并指出垂直整合模式在先进技术与工艺的持续验证与迭代方面具有显著优势，可以实现无缝衔接的反馈，促进健康闭环。此外，他还分享了三安在SiC功率器件领域的最新进展，包括已成功开发出的高性能、高可靠性的SiC二极管和SiC MOSFET等。

　　作为我国半导体行业的代表性企业之一，三安一直致力于SiC功率器件的研发和产业化。此次参会，不仅展示了三安在SiC领域的先进理念和技术，也为行业的发展提供了有益的借鉴。

　　IPF 2024碳化硅功率器件大会的成功举办，为我国SiC功率器件产业的发展提供了有力支持。三安将继续发挥自身优势，携手行业伙伴，共同推动我国SiC功率器件技术迈向更高水平。

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