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英飞凌取得垂直功率半导体器件及制造方法专利_CQ9电子中国官方网站
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英飞凌取得垂直功率半导体器件及制造方法专利

作者:小编    发布时间:2026-04-29 16:43:35    浏览量:

  国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“垂直功率半导体器件及制造方法”的专利,授权公告号CN113517330B,申请日期为2021年4月。

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