（1）SiC 属于第三代宽禁带半导体材料，是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。SiC 器件具有耐高温、高频、耐高压、大功率的特性。SiC 功率器件包括 SiC 二极管、SiC 晶体管和 SiC 功率模块，根据性能不同，SiC 二极管可以细分为四种：SBD（肖特基）二极管、PIN（混合 PN 结）二极管、JBS（结势垒肖特基）和 MPS（混合 pin/肖特基）二极管，JBS 和 MPS 这两类导通电阻较低浪涌能力较好；SiC 晶体管也分为四种：SiC BJT 、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC IGBT，与硅基期间相比具有更高的击穿电压和更低的导通电阻；SiC 功率模块也分为全 SiC 功率模块、混合 SiC 功率模块，混合 SiC 功率模块用 SiC SBD 替换 Si FRD，全 SiC 模块采用 SiC SBD 与 SiC MOSFET 一体化封装。目前 SiC SBD 二极管和 SiC MOSFET 应用最广泛、市场化成熟度最高。

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