国家知识产权局信息显示，无锡华润华晶微电子有限公司申请一项名为“碳化硅功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN121908600A，申请日期为2024年10月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅功率器件及其制造方法，在碳化硅衬底中形成终端结构，所述终端结构围绕所述阱区，所述终端结构包括m个间隔的环形注入区以及n个间隔的注入补偿区，m、n为正整数并且m≥n，并且，自所述阱区起n个所述注入补偿区和n个所述环形注入区间隔排布，所述注入补偿区包括多个间隔的注入补偿块并且所述注入补偿区与相邻的所述环形注入区相连，通过所述终端结构能够有效提高碳化硅功率器件的耐压能力；其中，自所述阱区起n个所述注入补偿区和n个所述环形注入区间隔排布，所述注入补偿区可以起到补偿所述环形注入区的作用，由此可以通过较少的环形注入区即可得到较高的击穿电压以及均一的电场，从而可以使得碳化硅功率器件小型化。

　　天眼查资料显示，无锡华润华晶微电子有限公司，成立于2000年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本33500万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润华晶微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目742次，财产线条，此外企业还拥有行政许可24个。

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