国家知识产权局信息显示，苏州惟清半导体有限公司申请一项名为“宽禁带功率半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121865667A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，公开了宽禁带功率半导体器件及其制备方法。方法包括：提供第一导电类型的基底层；形成深入基底层部分深度且包括由外向内依次嵌套的多个掺杂层的第一掺杂区，多个掺杂层的掺杂浓度由外向内依次递增；在第一掺杂区最内侧的掺杂层内形成第二掺杂区；在第一表面上形成隔离层；在隔离层上形成控制电极；在第一表面上形成第一电极；在基底层的第二表面上形成第二电极。本发明中，通过多次离子注入的方式，形成位于基底层与第二掺杂区之间的、掺杂浓度由外向内递增变化的第一掺杂区，从而构建出横向电场约束，抑制沟道区域的横向耗尽和大电压情况下的短沟道效应，有助于降低沟道宽度，提高器件性能和可靠性。

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　　天眼查资料显示，苏州惟清半导体有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13393.3333万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州惟清半导体有限公司参与招投标项目8次，财产线条，此外企业还拥有行政许可5个。

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　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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