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丽隽功率半导体申请高压功率器件终端扩展结构专利大幅增强终端结构的耐压性、稳定性和可靠性

作者:小编    发布时间:2026-04-20 02:10:28    浏览量:

  国家知识产权局信息显示,浙江丽隽功率半导体有限公司申请一项名为“一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法”的专利,公开号CN121865668A,申请日期为2026年3月。

  专利摘要显示,本发明涉及半导体器件领域,具体是一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法。该结构设置于有源区外围,包括一个掺杂浓度梯度经过优化的JTE区,以及多个设置于其外围、形状为曲线多边形且占用面积逐级递减的场环。其制备方法关键在于采用多次离子注入来稳定JTE区的掺杂浓度。本发明通过结合优化的JTE和场环设计,协同解决了传统场环终端面积过大和JTE电场分布不均的技术难题,显著减小了终端面积,均匀了电场分布,避免了局部峰值和场板末端电场尖峰,从而大幅增强了终端结构的耐压性、稳定性和可靠性。

  天眼查资料显示,浙江丽隽功率半导体有限公司,成立于2022年,位于丽水市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江丽隽功率半导体有限公司参与招投标项目1次,专利信息4条。

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