国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“用于绝缘体上硅SOI平台的半导体器件射频建模方法及模型”的专利，公开号CN121835567A，申请日期为2026年1月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种用于绝缘体上硅SOI平台的 the semiconductor device radio frequency modeling method and model. 该方法包括：构建包含栅极/体端寄生阻抗网络、本征电容模块、体电阻模块及衬底网络模块的等效电路模型；通过低频CV测试提取本征电容参数，其中Cg被分解为重叠电容、耗尽电容及积累电容，并引入双曲正切函数与多项式修正；利用版图信息及方块电阻提取寄生电阻电感；基于高频S参数提取受电压调制的体电阻参数，体电阻采用指数函数拟合。本发明模型能精确反映SOI器件的背栅效应及体电阻调制效应，在宽频带、宽电压及宽温度范围内展现出极佳的拟合精度。

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　　天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2941次，专利信息1981条，此外企业还拥有行政许可117个。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。