【功率器件的制造方法及功率器件】的权利说明书内容是......请下载后查看

　　【功率器件的制造方法及功率器件】技术领域本发明涉及半导体制造技术，尤其涉

　　及一种功率器件的制造方法及功率器件。背景技术功率器件的其中一个重要的性能

　　是阻断高压，为了提高功率器件的可靠性和耐压能力，通常在功能功率器件中设置

　　有截止环。图1为现有技术中功率器件的俯视图，图2为现有技术中功率器件的正

　　视图。如图1和图2所示，功率器件中从外向内依次为划片道区1、截止环2、分

　　压区3和有源区4。其中，截止环2可设置在分压结构3和划片道区1之间，能够

　　防止离子迁移或外部水汽渗入，以及具有避免电势扰动、抑制噪声、截断器件表面

　　率器件为例，在其分压区3中注入P型掺杂成分，然后在分压区3的外围注入较高

　　剂量的N型掺杂成分以形成截止环2，之后在截止环2的外围形成划片道区1，从

　　耗尽层延伸过来的电场在截止环2终止，而不会延伸到划片道区1。为了提高功率

　　器件阻断高压的能力，需拓宽截止环2的区域，占用了较大的半导体芯片的面积，

　　降低了芯片的利用率，也增加的芯片的制造成本。发明内容本发明提供一种功率器

　　件的制造方法及功率器件，用于解决现有的功率器件的截止环占用面积较大的问题，

　　以提高半导体芯片的利用率。本发明实施例提供一种功率器件的制造方法，包括：

　　在形成有截止环、划片道区、分压区和有源区的半导体芯片上，对所述截止环和划

　　片道区进行刻蚀，以去除所述截止环和划片道区的设定厚度；在所述截止环和划片

　　道区的表面注入离子，以形成损伤层。如上所述的功率器件的制造方法，在对所述

　　截止环和划片道区进行刻蚀之前，还包括：在所述截止环、划片道区、分压区和有

　　源区的表面涂覆光刻胶，形成胶层；去除所述截止环和划片道区表面的光刻胶。如

　　上所述的功率器件的制造方法，在所述截止环和划片道区的表面注入离子之后，还

　　包括：去除所述分压区和有源区表面的光刻胶。如上所述的功率器件的制造方法，

　　所述设定厚度为0.1微米至10微米。如上所述的功率器件的制造方法，对所述截

　　止环和划片道区进行刻蚀，包括：采用干法刻蚀对所述截止环和划片道区进行刻蚀。

　　如上所述的功率器件的制造方法，在所述截止环和划片道区的表面注入的离子为氢

　　离子、氦离子、硼离子、砷离子和铝离子中的至少一种。如上所述的功率器件的制

　　造方法，离子注入的能量为100KeV至400KeV。如上所述的功率器件的制造方法，

　　CQ9电子官方网站 CQ9平台

　　所述胶层的厚度为1微米至10微米。本发明另一实施例提供一种功率器件，包括

　　CQ9电子官方网站 CQ9平台